最短的电阻器示意图

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...物溶液、电解电容器及其制备方法专利,显著降低电容器的等效串联电阻C1~18 的亚烷基、C1~18 的烷基衍生物、C1~18 的亚烷基衍生物中的一种或多种。本申请提供的高导电聚合物溶液,可在介电层孔隙和表面成膜,显著降低电容器的等效串联电阻,提高电容器的容量引出率,改善电容器的充放电性能、低温容量损失率和高温寿命,满足电容器在快充、高还有呢?

四川永星电子取得用于碳基电阻浆料的导电碳黑材料、制备方法及其...采用原子层沉积和紫外辐射工艺在导电碳黑的表面沉积一层金属氧化物;所述金属氧化物为氧化锌、氧化镍、氧化钴、氧化钛、氧化铝中的至少一种。通过上述方案,本发明具有制备简单、性能优异、工艺可靠等优点,在碳基电阻浆料以及位移传感器技术领域具有很高的实用价值和推广价等我继续说。

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广州奥松电子取得绝对湿度传感器、热敏电阻及热敏电阻的制作方法...金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,广州奥松电子股份有限公司取得一项名为“绝对湿度传感器、热敏电阻及热敏电阻的制作方法“授权公告号CN108461237B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,本发明提供绝对湿度传感器,包括:第一测量单元和第二测量单元,第是什么。

...电子取得检测配电开关功率继电器线圈状态的专利,精确计算线圈电阻值一种检测配电开关功率继电器线圈状态的方法,由恒流源电路产生的弱电流流经功率继电器线圈产生线圈电压;将该电压接入V-F 转换隔离电路,经隔离后的频率信号送至CPU 进行计算、得到继电器线圈电阻;根据电阻值判断配电开关功率继电器线圈的状态,进行常规操作或者报警、终止等我继续说。

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...器结构、半导体结构及其制备方法专利,该半导体结构具有较少的短...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储器结构、半导体结构及其制备方法“公开号CN说完了。 且分别与源极的齿状部和漏极的齿状部连接。该半导体结构具有较少的短沟道效应,且接触电阻较小,能够避免由于驱动电流较小而对性能产生说完了。

金冠电气:2024年新增10余个研发项目,正在筹建内乡产业园电阻片产线...金融界8月29日消息,金冠电气披露投资者关系活动记录表显示,2024年,该公司新增了10余个研发项目,持续优化避雷器、电阻片及新产品的配方与生产工艺,致力于技术突破和产品升级。在高端陶瓷材料领域,公司的主营业务避雷器用的核心元器件电阻片均为自研、自产。公司已完成常规说完了。

...取得一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法专利,利用驱动器...涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效寄生电容;S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值,功率大部分并不损耗在驱动电阻上,又避免了尖峰电小发猫。

金溢科技申请开关检测相关专利,在保证了开关检测可靠性的同时实现...该方法应用于包括若干信号接口的控制器,信号接口设有对应的上拉电阻,且信号接口经分压单元与被检测开关的档位端形成电连接,被检测开关的公共端接地;该方法包括:设置所有信号接口为预设信号输入模式,获取被检测开关的导通档位;设置第一信号接口对应的上拉电阻关断、第二信号好了吧!

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中芯集成-U 申请包括薄膜电阻器的集成电路器件及其形成方法专利,...金融界2024 年7 月23 日消息,天眼查知识产权信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“包括薄膜电阻器的集成电路器件及其形成方法“,公开号CN202410468362.7 ,申请日期为2024 年4 月。专利摘要显示,本发明提供一种包括薄膜电阻器的集成电路器件及其形成方小发猫。

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通用电气取得集成栅极电阻器专利,效果为各自栅极电极通过与外部...金融界2024年4月23日消息,据国家知识产权局公告,通用电气公司取得一项名为“半导体功率转换设备的集成栅极电阻器“授权公告号CN110945662B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,一种半导体功率转换设备,包括在有源区域的不同部分中的多个器件单元,每个器件单元包括各自说完了。

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